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【驚愕】元Intel CEOが仕掛ける半導体製造革命、ASMLの独占に風穴 次世代EUV光源で製造コスト半減の可能性

【驚愕】元Intel CEOが仕掛ける半導体製造革命、ASMLの独占に風穴 次世代EUV光源で製造コスト半減の可能性

半導体業界に激震が走っている。元Intel CEOのパット・ゲルシンガー氏が、次世代EUV光源を開発するスタートアップ企業「xLight」の会長に就任したのだ。この動きは、現在ASMLが事実上独占しているEUVリソグラフィ市場に、全く新しい技術で挑戦状を叩きつけるものとして注目を集めている。

xLightが開発するのは、従来のレーザー生成プラズマ方式ではなく、粒子加速器を利用した「自由電子レーザー方式」によるEUV光源だ。現行のASML製EUV装置が約300Wの出力であるのに対し、xLightのFEL方式は1000Wを超える高出力を実現する可能性があるという。この出力向上は単なるスペックの数字ではなく、1時間あたりのウェハ処理枚数を飛躍的に増加させることを意味する。

さらにxLightは、ウェハあたりの露光コストを約50%削減できると主張している。半導体製造工程の中でも最も高価な工程のひとつがEUV露光であり、このコストが半減すればチップ製造全体のコスト構造が大きく変わる可能性がある。TSMCやサムスンといった大手ファウンドリ企業にとっては、設備投資の選択肢が広がることを意味する。

最先端半導体製造工場内のEUVリソグラフィ装置とクリーンルームの様子、シリコンウェハに極微細回路を焼き付ける工程のイメージ

ゲルシンガー氏がxLightに加わる背景には、米国主導の半導体製造戦略の強化がある。同氏はIntel在籍中に製造技術の復活を掲げ、グローバルなサプライチェーンや技術革新を推進してきた。今回の参画は、CHIPS法の枠組みのもとでサプライチェーンのリスク分散が叫ばれるタイミングと完全に一致している。

ただし、FEL方式の実用化には依然として多くの課題が残されている。FEL方式は従来の半導体ファブに容易に導入できるものではなく、大型加速器施設の新設や既存ファブの改造など、初期投資と技術的統合に関する多大な課題を伴う。商用化目標として掲げられている2028年というスケジュールは、次世代ファブの建設スケジュールと連動しているが、技術的実証とスケールアップにはさらなる時間を要する可能性もある。

業界関係者の間では「ASMLの独占時代に終止符が打たれるかもしれない」との声が出始めている。過去10年間、先端ロジック半導体の進化はEUVリソグラフィの発展と切っても切り離せない関係にあった。ASMLが築いてきた技術独占に対し、xLightが提案するFEL方式は物理原理の転換を伴う全く新しいアプローチであり、成功すれば半導体業界の勢力図を根本から塗り替える可能性を秘めている。

ネットの反応

ゲルシンガーはIntelで失敗したけど、今度は本気でASMLを潰しにきたか

FEL方式のEUV光源が実用化されたら製造コスト半減は半導体業界のゲームチェンジャー

ASMLの独占が長すぎた。競争が生まれるのは市場にとって健全

1000W超の出力ってマジか。現行の300Wでも十分すごいのに

でもFEL方式って加速器が必要なんだろ?設置場所の問題が大きいのでは

2028年商用化ってまだ3年もある。その間にASMLも対抗策を打ってくる

半導体製造のサプライチェーン多様化は米国にとっても戦略的に重要

価格はいくらになるんだろうか?ASMLより安ければファウンドリは乗り換える

AIの所感

xLightの挑戦は、半導体製造装置市場における長年のASML支配に風穴を開ける可能性を秘めている。FEL方式によるEUV光源の高出力化は理論上の優位性は明らかだが、実用化への道のりは決して平坦ではない。特に既存の半導体ファブインフラとの互換性や、大型加速器のファブ内設置という現実的な課題をどう克服するかが最大の焦点となる。とはいえ、元Intel CEOという重鎮を迎え、Playground Globalという強力な支援体制を持つxLightの動向は、半導体業界の未来を占う上で今後3〜5年、最も注目すべきテーマのひとつであることは間違いない。

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